1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -70А; 150Вт; DFN5x6-8

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -70А; 150Вт; DFN5x6-8
Немає в наявності
Код товару: G75P04D5
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G75P04D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: -70А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; THT; 35Вт; ±1%; 10,16x15x4,6мм
Резистор: thick film; 12Ом; THT; 35Вт; ±1%; 10,16x15x4,6мм

387,73 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Опір:
12Ом
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 100нФ; 1,6кВDC; 650ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 100нФ; 1,6кВDC; 650ВAC

91,23 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Довжина відводів:
6мм
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; (SPST-NO + SPST-NC) x2; 5A/250ВAC
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; (SPST-NO + SPST-NC) x2; 5A/250ВAC

1251,90 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,2пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 14,3Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 14,3Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 160ВDC; Ø18x35мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 160ВDC; Ø18x35мм; ±20%

69,69 грн

Висота:
35мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,65нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8