Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -80А; 115Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: G75P04M
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G75P04M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 115Вт
Струм стока: -80А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V

353,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Довжина контакту:
5,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 100V

167,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; THT; straight

112,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

6,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Дисплей: TFT; 2,8"; 240x320; Підсв: LED; Вим: 50,5x69,7x4,55мм
Дисплей: TFT; 2,8"; 240x320; Підсв: LED; Вим: 50,5x69,7x4,55мм

871,14 грн

Cенсорна панель:
немає
Вид дисплея:
матриця IPS
Вид контролера:
ILI9341V
Властивості дисплеїв:
широкий кут огляду
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100

0,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD