Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -48А; Idm: -300А

Немає в наявності
Код товару: SIR871DP-T1-GE3
74,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR871DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 28мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 89Вт
Струм стока: -48А
Струм стоку в імпульсі: -300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1812

8,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Провід; ÖLFLEX® 540 P; 4G0,75мм2; неекранований; 300В,500В; Cu
Провід; ÖLFLEX® 540 P; 4G0,75мм2; неекранований; 300В,500В; Cu

260,39 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я; що самогаситься
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1808
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1808

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 0,1A/30ВDC; без важеля
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 0,1A/30ВDC; без важеля

103,90 грн

Виводи:
до лютування
Властивості перемикачів:
без важеля
Електрична стійкість:
500000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

3,11 грн

Alias:
KGQ15ACG1H100GT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8