Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -14А; Idm: -40А

Немає в наявності
Код товару: SI4421DY-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4421DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 125нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 13,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: -14А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,6м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,6м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А

2273,82 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP69K
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; THT; straight

16,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

10,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 3мм; Довж.заг: 153мм
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 3мм; Довж.заг: 153мм

504,94 грн

Вид ключа:
кулевидна
Загальна довжина:
153мм
Різновид рукоятки:
T
Розмір ключа:
HEX 3мм
Недоступний
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; PG-DSO-8; -2,5÷2,5А
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; PG-DSO-8; -2,5÷2,5А

57,02 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-2,5...2,5А
Властивості інтегральних мікросхем:
integrated bootstrap functionality
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD

11,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 68; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 68; THT; straight

168,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
37,8мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8