1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -25А; Idm: -40А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -25А; Idm: -40А
Немає в наявності
Код товару: SIS407DN-T1-GE3
79,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS407DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 93,8нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 9,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 21Вт
Струм стока: -25А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Розширення різьблення до дроселів; Різьбл: метрична; M32; M25
Розширення різьблення до дроселів; Різьбл: метрична; M32; M25

228,08 грн

Вид різьблення:
метрична
Внутрішня різьба:
M32
Зовнішня різьба:
M25
Матеріал корпусу:
латунь
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 285В; 1,5А; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE
Діод: TVS; 0,6кВт; 285В; 1,5А; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE

11,09 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
256В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO15; DO204AC
Недоступний
Резистор: керамічний; 390кОм; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C
Резистор: керамічний; 390кОм; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C

27,18 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
7мм
Довжина:
19мм
Допуск:
±10%
Резистор: thick film; 30кОм; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; SMT; 1.5A

288,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
3мм
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 4,7В; DO35; 2мкА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 4,7В; DO35; 2мкА; Ufmax: 1,1В

85,53 грн

Зенерівська напруга:
4,7В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Резистор: thin film; 6,65кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 6,65кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -13,4А; Idm: -40А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -13,4А; Idm: -40А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN2020-6