1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6,1А; Idm: -20А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6,1А; Idm: -20А
Немає в наявності
Код товару: SI5441BDC-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI5441BDC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: PowerPAK® ChipFET
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -6,1А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 500мВ÷5,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 500мВ÷5,5В

160,29 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
0,5...5,5В
Вихідний струм:
5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 17мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 17мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 2220

46,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 1

217,94 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 2.54mm; nomex
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 2.54mm; nomex

150,15 грн

Connector family:
data
Виводи:
прямі
Довжина:
50,8мм
Кількість ліній:
11
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

11,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI,DALI 2,NFC; 40Вт; 50÷250ВDC
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI,DALI 2,NFC; 40Вт; 50÷250ВDC

956,67 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
50...250В DC
Вихідний струм:
50...400мА
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8