1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,3А; Idm: -28А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,3А; Idm: -28А
Немає в наявності
Код товару: SIA931DJ-T1-GE3
11,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA931DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: -4,3А
Струм стоку в імпульсі: -28А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
M12; PIN: 5; штекерний,прямий; неекранований,прямий; 4А; SAIL; PUR
M12; PIN: 5; штекерний,прямий; неекранований,прямий; 4А; SAIL; PUR

588,57 грн

Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD

4,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: контролер Еthernet; SPI; 10Base-T; Uробоча: 3,1÷3,6В; туба
IC: контролер Еthernet; SPI; 10Base-T; Uробоча: 3,1÷3,6В; туба

190,07 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PHY
Інтерфейс:
SPI
Категорія Ethernet:
10Base-T
Недоступний
M12; штекерний,прямий,гніздовий; екранований,кутовий,прямий; 4А
M12; штекерний,прямий,гніздовий; екранований,кутовий,прямий; 4А

2631,15 грн

Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 30А; Iвих: 5А; на панель; 50Гц; 720В
Трансформатор: струмовий; Iвх: 30А; Iвих: 5А; на панель; 50Гц; 720В

7227,58 грн

Вихідний струм:
5А
Вхідний струм:
30А
Клас точності:
1 @max 10ВА
Максимальна напруга:
720В
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 470мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 470мкФ; 25ВDC; ±20%

50,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8