Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4А; Idm: -15А

Немає в наявності
Код товару: SI2343DS-T1-E3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2343DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 86мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -4А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V

139,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,4÷7В; 43,5А; односпрямована; SOD123F; P4FL
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,4÷7В; 43,5А; односпрямована; SOD123F; P4FL

4,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
5В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 1.5A

520,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
3мм
Недоступний
Симістор; 1кВ; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба
Симістор; 1кВ; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба

106,44 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
TO220AB
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 315мА; R: 1Ом
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 315мА; R: 1Ом

10,07 грн

Високосортність:
50
Властивості дроселів:
висока вологостійкість
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 6В; 6В; 167мА; 167мА; PCB; IP00
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 6В; 6В; 167мА; 167мА; PCB; IP00

140,65 грн

Виводи вторинної обмотки:
6-7, 9-10
Виводи первинної обмотки:
1-5
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-1:2000; PN EN 61558-2-1:2000; PN EN 61558-2-6:2000
Вторинна напруга 1:
6В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 1.5A; 60V

82,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8