Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -42А; Idm: -100А

Немає в наявності
Код товару: SUD40151EL-GE3
67,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SUD40151EL-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 112нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 17,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -42А
Струм стоку в імпульсі: -100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,плоський; 7/16"; 120мм
Наконечник ключа; динамометрична,плоський; 7/16"; 120мм

3694,89 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; плоський
Використання інструментів:
динамометричний ключ
Довжина:
120мм
Недоступний
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8