Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,6А; Idm: -30А

Немає в наявності
Код товару: SI7415DN-T1-E3
70,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7415DN-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,8Вт
Струм стока: -3,6А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
39пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; IP68; 150А
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; IP68; 150А

22004,59 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 5А; TO220-2; Ufmax: 2,1В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 5А; TO220-2; Ufmax: 2,1В

257,22 грн

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO220-2
Монтаж:
THT
Потужність розсіювання:
43,3Вт
Конденсатор: паперовий; 250нФ; 15,2мм; THT; PMR205; -40÷85°C
Конденсатор: паперовий; 250нФ; 15,2мм; THT; PMR205; -40÷85°C

46,88 грн

Ємність:
0,25мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15,2мм
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Конденсатор: поліпропиленовий; 7мкФ; 250ВAC; ±10%; Ø30x70мм; 7
Конденсатор: поліпропиленовий; 7мкФ; 250ВAC; ±10%; Ø30x70мм; 7

210,34 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Висота:
70мм
Діаметр:
30мм
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8