1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 180А; Idm: 195А; 52Вт; PQFN8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 180А; Idm: 195А; 52Вт; PQFN8
Немає в наявності
Код товару: NTTFS1D2N02P1E
105,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTTFS1D2N02P1E
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: PQFN8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: 180А
Струм стоку в імпульсі: 195А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 133В; 15,5А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 133В; 15,5А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ

30,79 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
120В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 1МбEEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 1МбEEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; SO8

96,93 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; TPU; IP67
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; TPU; IP67

584,14 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 68Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 68Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Конденсатор: поліпропиленовий; для двигунів, роботи; 45мкФ; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; для двигунів, роботи; 45мкФ; ±5%

472,63 грн

Виводи:
проводи
Висота:
95мм
Діаметр:
45мм
Допуск:
±5%
Діод: TVS; 5кВт; 36,7В; 93,8А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 5кВт; 36,7В; 93,8А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

44,98 грн

Зворотна напруга макс.:
33В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 4,22кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 4,22кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
4,6нКл