Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 700мА; Idm: 4,6А; 740мВт; TO92

Немає в наявності
Код товару: TN0604N3-G-P013
74,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TN0604N3-G-P013
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: Ammo Pack
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,74Вт
Стандартне пакування виробника: 2000шт.
Струм стока: 0,7А
Струм стоку в імпульсі: 4,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 226Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 226Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

1,68 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Connector: wire-board; male; data; AMPMODU; Inom: 2A; 125V; PIN: 12
Connector: wire-board; male; data; AMPMODU; Inom: 2A; 125V; PIN: 12

103,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
12
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -76А; Idm: -88А; 34Вт; HSOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -76А; Idm: -88А; 34Вт; HSOP8

37,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
HSOP8
Блокуюча клямка; штекерний; DTM; PIN: 3; оранжевий
Блокуюча клямка; штекерний; DTM; PIN: 3; оранжевий

10,14 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Застосування - серія/виробник:
DTM
Кількість пін:
3
Колір:
оранжевий
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230В,240В
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230В,240В

2240,25 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61008
Диференціальний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thin film; 12,7кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 12,7кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT