Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 130А; Idm: 200А; 100Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: DMNH6008SCTQ
124,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMNH6008SCTQ
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 130А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 700В; 150А; D1P; пригвинчуваний
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 700В; 150А; D1P; пригвинчуваний

8415,49 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
700В
Корпус:
D1P
Недоступний
Contact; male; data transfer; copper alloy; gold-plated; THT; 20A
Contact; male; data transfer; copper alloy; gold-plated; THT; 20A

58,29 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Діаметр:
3,2мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; THT; 1.5A

134,31 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±1,35÷8ВDC,2,7÷16ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±1,35÷8ВDC,2,7÷16ВDC; SO8

39,91 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
60пА
Діапазон напруги живлення:
± 1,35...8В DC; 2,7...16В DC
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; 4А

3716,43 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Connector: wire-board; socket; male; data; PH; 2A; 100V; PIN: 7; 2mm
Connector: wire-board; socket; male; data; PH; 2A; 100V; PIN: 7; 2mm

29,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
7
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT