Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 64А; 1130Вт; PLUS247™

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 64А; 1130Вт; PLUS247™
Brand: IXYS
SKU: IXFX64N60P3
Price: 730.42 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXFX64N60P3

730,42 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IXFX64N60P3

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

145нКл

Корпус:

PLUS247™

Монтаж:

THT

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

0,1Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,13кВт

Струм стока:

64А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 60А; Idm: 340А; 240Вт; TO247-3

200,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
80нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 40В; 80А; Idm: 320А

114,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
65нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 950В; 7,6А; Idm: 48А

241,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 15,5А; Idm: 96А

224,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
43нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 300В; 27А; Idm: 168А

207,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
90нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 45А; Idm: 245А

769,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
103нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А; 34Вт

215,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
46нКл

Корпус:
TO220FP