Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 90А; Idm: 361А; 170Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN8R7-80PS,127
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN8R7-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: SOT78; TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 170Вт
Струм стока: 90А
Струм стоку в імпульсі: 361А
Тип транзистора: N-MOSFET
PIN: 16; Покриття: позолочений
PIN: 16; Покриття: позолочений

45,81 грн

Кількість пін:
16
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: PMIC; контролер PWM; SO16; туба; SMPS
IC: PMIC; контролер PWM; SO16; туба; SMPS

1468,58 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер PWM
Вид упаковки:
туба
Використання:
SMPS
Корпус:
SO16
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 1206

7,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT