Транзистор: N-MOSFET; Linear L2™; польовий; 200В; 110А; 960Вт

Немає в наявності
Код товару: IXTX110N20L2
1727,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTX110N20L2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 500нКл
Корпус: PLUS247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 960Вт
Струм стока: 110А
Технологія: Linear L2™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 420нс
Недоступний
801-83-010-10-001101
801-83-010-10-001101

0,00 грн

Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC

2436,42 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67; IP68; IP69K
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 60А; Idm: 340А; 240Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 60А; Idm: 340А; 240Вт; TO247-3

200,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
80нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 40В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 40В; 80А; Idm: 320А

114,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 950В; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 950В; 7,6А; Idm: 48А

241,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 15,5А; Idm: 96А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 15,5А; Idm: 96А

224,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 300В; 27А; Idm: 168А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 300В; 27А; Idm: 168А

207,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 45А; Idm: 245А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 45А; Idm: 245А

769,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
103нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А; 34Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А; 34Вт

215,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220FP