Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 49,8А; Idm: 140А; 336Вт

Немає в наявності
Код товару: WNSC2M40120W6Q
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 600
Крок додавання: 600
Код товару: WNSC2M40120W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 115нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 56мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 336Вт
Струм стока: 49,8А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: Special D-Sub; PIN: 17(5+12); male; data transfer; THT
Connector: Special D-Sub; PIN: 17(5+12); male; data transfer; THT

724,79 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
17 (5+12)
Недоступний
IC: супервізор; push-pull; Активний стан: низьке; SOT89; Ch: 1
IC: супервізор; push-pull; Активний стан: низьке; SOT89; Ch: 1

27,62 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
push-pull
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги; монітор обнулення живлення (PoR)
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT