Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 21А; Idm: 52А; 103Вт

Немає в наявності
Код товару: SCT3120ALGC11
483,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SCT3120ALGC11
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...22В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 156мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 103Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 52А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 48кБ; 40МГц; 4,2÷5,5ВDC; SMD; SO28; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 48кБ; 40МГц; 4,2÷5,5ВDC; SMD; SO28; PIC18

539,15 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); Phase locked loop; PoR; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART; ECAN; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485
Недоступний
Провід; LiYCY UL; 12x24AWG; ПВХ; сірий; 300В; Захисна жила: немає
Провід; LiYCY UL; 12x24AWG; ПВХ; сірий; 300В; Захисна жила: немає

282,56 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 40; THT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 40; THT; 3A; 150V

410,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
7мм
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 800В; 3А; Ifsm: 25А; ролик,cтрічка; Ufmax: 1,3В
Діод: випрямний; THT; 800В; 3А; Ifsm: 25А; ролик,cтрічка; Ufmax: 1,3В

442,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,3В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT