Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт

Немає в наявності
Код товару: WMAA4N80D1B
29,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMAA4N80D1B
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: WMOS™ D1
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: цифровий; демультиплексор,мультіплексор; Ch: 2; IN: 6; CMOS; THT
IC: цифровий; демультиплексор,мультіплексор; Ch: 2; IN: 6; CMOS; THT

43,72 грн

Вид об'єднаної схеми:
демультиплексор; мультіплексор
Кількість каналів:
2
Корпус:
DIP16
Монтаж:
THT
Трансформатор: литий; 10ВА; 230ВAC; 24В; 416мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 10ВА; 230ВAC; 24В; 416мА; PCB; BVEI

470,10 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
24В
Зовнішні розміри:
68,2x42,3x34,6мм
Монтаж:
PCB
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; LQFP80; I2C,IrDA,JTAG,SPI x4,UART x3
IC: мікроконтролер MSP430; LQFP80; I2C,IrDA,JTAG,SPI x4,UART x3

408,01 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; RTC; watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
I2C; IrDA; JTAG; SPI x4; UART x3
Кількість каналів PWM:
9
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402

6,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,8пФ
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT