Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 900В; 10А; Idm: 50А; 310Вт

Немає в наявності
Код товару: WMJ90R260S
430,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ90R260S
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 39,5нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 900В
Опір в стані провідності: 0,26Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 310Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: WMOS™ S
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: FPGA; SMD; I/O: 244; лоток
IC: FPGA; SMD; I/O: 244; лоток

14310,65 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
244
Монтаж:
SMD
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 1210; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 1210; 330мм

6,61 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 40мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 40мА

391,50 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
40мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
Насадка: 12-гранна; насадковий; 15/16"; 3/4"; 51,5мм; хром
Насадка: 12-гранна; насадковий; 15/16"; 3/4"; 51,5мм; хром

1171,97 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3120; ISO 1174
Довжина насадки:
51,5мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 1,3кВт; 14,5В; 50А; односпрямована; SOD323
Діод: TVS; 1,3кВт; 14,5В; 50А; односпрямована; SOD323

24,07 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
14В
Корпус:
SOD323
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP7; THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP7; THT

282,54 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідна напруга 2:
-3,3В DC
Вихідний струм:
151мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1683,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1570,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

368,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT