Транзистор: N-MOSFET; 500В; 110А; 625Вт; MAX247

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STY105NM50N
513,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 9
Код товару: STY105NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Корпус: MAX247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 22мОм
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм стока: 110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; THT; straight

17,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X6S; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X6S; ±20%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: TVS; двоспрямована; DO15,DO204AC; 0,6кВт; BZW06; Ammo Pack
Діод: TVS; двоспрямована; DO15,DO204AC; 0,6кВт; BZW06; Ammo Pack

6,08 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
26В
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; автоматика; 6м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; автоматика; 6м

7985,94 грн

Довжина проводу:
6м
Кількість пін:
5
Призначення телефонного кабелю:
автоматика
Різьба:
M12
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

1,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; Indess; 2A; PIN: 14; 2mm
Connector: pin strips; socket; female; data; Indess; 2A; PIN: 14; 2mm

60,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; straight

38,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
13,8мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1683,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1570,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

368,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT