Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 47,1А; Idm: 259А; 23,8Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NVMFS015N10MCLT1G
106,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS015N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 12,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23,8Вт
Струм стока: 47,1А
Струм стоку в імпульсі: 259А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 556Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 556Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 13В; DO41; 10мкА; Ufmax: 1,2В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 1Вт; 13В; DO41; 10мкА; Ufmax: 1,2В; ролик,cтрічка

1457,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
13В
Корпус:
DO41
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 70; THT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 70; THT; 3A; 150V

2119,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
11,05мм
Довжина відводів:
3,05мм
Недоступний
Резистор: thick film; 12мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

2,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Датчик: тиску; 0÷1бар; абсолютний; OUT: I2C; Uживл: 3,3ВDC; SMT; ABP2
Датчик: тиску; 0÷1бар; абсолютний; OUT: I2C; Uживл: 3,3ВDC; SMT; ABP2

1417,26 грн

Властивості датчиків:
покриття харчовим гелем
Діапазон вимірювання тиску:
0...1бар
Конфігурація виходу:
I2C
Монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

2,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0201; ±1%; 25В; 0,05мм; -55÷125°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0201; ±1%; 25В; 0,05мм; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
4,6нКл