Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,5А; Idm: 37А; 60Вт; TO220AB

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,5А; Idm: 37А; 60Вт; TO220AB
Brand: VISHAY
SKU: IRF520PBF
Price: 63.99 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IRF520PBF

63,99 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IRF520PBF

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

16нКл

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

0,27Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

60Вт

Струм стока:

6,5А

Струм стоку в імпульсі:

37А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 105А; 323Вт

908,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
137нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,1А; Idm: 20А; 96Вт; IPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
18нКл

Корпус:
IPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 650В; 11А; Idm: 68А

159,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
44нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 36А; Idm: 144А

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
35нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 147А; Idm: 764А; 250Вт

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
124нКл

Корпус:
PG-TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39,3А; 260Вт; TO220-3

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
99нКл

Корпус:
TO220-3