1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 140А; 1135Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 140А; 1135Вт
Немає в наявності
Код товару: APT34F100B2
1265,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT34F100B2
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 305нКл
Корпус: TO247MAX
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1135Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 25В; X8L; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 25В; X8L; ±20%; SMD; 0402

2,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0027мкФ; 1,6кВDC; THT; ±3%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0027мкФ; 1,6кВDC; THT; ±3%

15,08 грн

Допуск:
±3%
Ємність:
2,7нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Недоступний
Осердя: феритовий; E; 388нГн; 51,4см3; 4,17см2; A: 54,9мм; Б: 27,6мм
Осердя: феритовий; E; 388нГн; 51,4см3; 4,17см2; A: 54,9мм; Б: 27,6мм

639,26 грн

Вимір D:
18,5мм
Ефективний об'єм осердя (Ve):
51,4см3
Ефективний переріз осердя (Ae):
4,17см2
Кількість в наборі/упаковці:
1шт.
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TAJ

107,70 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 24ВDC; 46,8м3/г; 36дБА; IP68
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 24ВDC; 46,8м3/г; 36дБА; IP68

3871,01 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 330кОм; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%; 50ppm/°C

0,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
0,33МОм
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 1кВ; 15А; 690Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 1кВ; 15А; 690Вт; TO247-3

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 56А; 36Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 56А; 36Вт; TO220FP

542,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 48А; 660Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 48А; 660Вт; TO247-3

631,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Корпус:
TO220AB