Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; Idm: 7А; 83Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: AOD2N100
17,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AOD2N100
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 9,7нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 2А
Струм стоку в імпульсі: 7А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 117; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 117; THT; straight

131,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 184sps; 2,7÷5,5В; SOT23-6
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 184sps; 2,7÷5,5В; SOT23-6

0,00 грн

Вид входу:
differential; single-ended
Властивості інтегральних мікросхем:
delta-sigma
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Кількість каналів:
1
Реле: електромагнітнe; 6ВDC; DPDT; Iконтактів max: 10А; підставка
Реле: електромагнітнe; 6ВDC; DPDT; Iконтактів max: 10А; підставка

658,26 грн

Зовнішні розміри:
20,7x27,7x37,2мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В

427,02 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
120В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

28,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В