1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,7А; 500мВт; SuperSOT-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,7А; 500мВт; SuperSOT-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDN335N
28,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDN335N
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: SuperSOT-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 1,7А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Алмазна пила; Ø: 40мм; для сухих робіт,керамічна плитка
Алмазна пила; Ø: 40мм; для сухих робіт,керамічна плитка

3312,85 грн

Використання інструментів:
для сухих робіт; керамічна плитка
Глибина свердління:
макс. 45мм
Діаметр:
40мм
Монтажний гвинт:
M14
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

6,27 грн

Alias:
KGM31BCG1H181GT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø10x18мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø10x18мм; ±20%

135,58 грн

Виводи:
осьові
Висота:
18мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,13 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 18нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 18нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм

7,10 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
18нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 175мкФ; 1,1кВDC; 32мм; -40÷85°C
Конденсатор: поліпропиленовий; 175мкФ; 1,1кВDC; 32мм; -40÷85°C

8378,75 грн

Виводи:
гвинти М6
Висота:
130мм
Діаметр:
64мм
Ємність:
175мкФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 5; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

2151,55 грн

Довжина кабелю:
1,4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 17,1А; 31,25Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 17,1А; 31,25Вт

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
49нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
DPAK