Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 121А; 107Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: IPP023N03LF2SAKSA1
31,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPP023N03LF2SAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 107Вт
Струм стока: 121А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 250В; X7T; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 250В; X7T; ±10%; SMD; 2220

69,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
M32; 1.5; IP66,IP67; polyamide; light grey; Cable gland: cable
M32; 1.5; IP66,IP67; polyamide; light grey; Cable gland: cable

265,46 грн

Вид різьблення:
метрична
Зовнішній діаметр проводу:
14...21мм
Клас герметичності:
IP66; IP67
Колір корпусу:
світло-сірий
Недоступний
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 66,5Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 66,5Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

1,72 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Недоступний
Роз’єм: HDC; гніздовий; PIN: 4; затискання; промислова
Роз’єм: HDC; гніздовий; PIN: 4; затискання; промислова

174,23 грн

Alias:
HDC MCOAX 4 FC
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷101ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 4,17А
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷101ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 4,17А

5877,48 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
4,17А
Вхідна напруга:
43...101В DC
Зовнішні розміри:
57,9x36,8x12,7мм
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT