Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,2А; Idm: 30,6А; 106Вт

Немає в наявності
Код товару: FCP380N60E
145,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FCP380N60E
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 106Вт
Струм стока: 10,2А
Струм стоку в імпульсі: 30,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Наконечник: пластинчастий; SMT; на PCB; луджений; фосфор-бронза
Наконечник: пластинчастий; SMT; на PCB; луджений; фосфор-бронза

11,97 грн

Електричний монтаж:
SMT
Матеріал:
фосфор-бронза
Механічний монтаж:
на PCB
Покриття контакту:
луджений
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; -55÷155°C

8,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: поліестровий; 0,15мкФ; 100ВDC; 5мм; R82; -55÷105°C
Конденсатор: поліестровий; 0,15мкФ; 100ВDC; 5мм; R82; -55÷105°C

3,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Ємність:
0,15мкФ
Растр виводів:
5мм
Робоча напруга:
100В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 90,9кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 90,9кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 9,09Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 9,09Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

1,64 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 1кВ; 15А; 690Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 1кВ; 15А; 690Вт; TO247-3

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 56А; 36Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 56А; 36Вт; TO220FP

542,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 48А; 660Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 48А; 660Вт; TO247-3

631,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Корпус:
TO220AB