Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 130А; Idm: 793А; 293Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN3R3-60PLQ
218,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN3R3-60PLQ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 175нКл
Корпус: SOT78; TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 293Вт
Струм стока: 130А
Струм стоку в імпульсі: 793А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 39,2кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 39,2кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,92 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V

87,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP48
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP48

3212,12 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
32Мб SRAM
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

43,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,2мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 39; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 39; THT; 1.5A

757,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: цифровий; Ch: 1; CMOS; 900мВDC÷5,5ВDC; SMD; VSSOP8; -40÷125°C
IC: цифровий; Ch: 1; CMOS; 900мВDC÷5,5ВDC; SMD; VSSOP8; -40÷125°C

50,05 грн

Вид об'єднаної схеми:
2bit; 3-позиційний; двонаправлений; рація; транслятор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
1
Корпус:
VSSOP8
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT