1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 15А; Idm: 60А; 57,6Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 15А; Idm: 60А; 57,6Вт
Немає в наявності
Код товару: DI015N65D2
120,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI015N65D2
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: D2PAK; TO263AB
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 181Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 57,6Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: PMIC; Uвх: 2,4÷5,5В; Uробоча: 3,3В; Uвих: 32В; TDFN8; boost
IC: PMIC; Uвх: 2,4÷5,5В; Uробоча: 3,3В; Uвих: 32В; TDFN8; boost

54,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
32В
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
2,4...5,5В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; 0201

0,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; I2C x2,IrDA,LIN,SPI x2,UART x4
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; I2C x2,IrDA,LIN,SPI x2,UART x4

237,58 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; EPMP; PPS
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THT; 3A; 250V

166,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,1А; 30Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,1А; 30Вт; TO220AB

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO220AB
Резистор: thick film; 200Ом; 0402; 63мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200Ом; 0402; 63мВт; ±5%; -55÷155°C

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

2,83 грн

Alias:
KGM21BCG2A681FT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26