Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 84А; Idm: 450А; 220Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DIT120N08
125,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DIT120N08
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 163нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 4,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 220Вт
Струм стока: 84А
Струм стоку в імпульсі: 450А
Тип транзистора: N-MOSFET
Товщина радіатора: макс. 1,2мм
Недоступний
Вентилятор: AC; Ø440x125,5мм; осьовий; 230ВAC; кульковий; IP44
Вентилятор: AC; Ø440x125,5мм; осьовий; 230ВAC; кульковий; IP44

0,00 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид двигуна:
1-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 11÷42ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 500мА; THT
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 11÷42ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 500мА; THT

312,34 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
11...42В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 24,9кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24,9кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Фільтр: проти перешкод; 470нФ; 30мОм; SMD; 6,3ВDC; 2А; ±20%; 0402
Фільтр: проти перешкод; 470нФ; 30мОм; SMD; 6,3ВDC; 2А; ±20%; 0402

5,70 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
0,47мкФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 24,9Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24,9Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
24,9Ом
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 25ВDC; Ø8x10,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 25ВDC; Ø8x10,2мм; ±20%

16,66 грн

Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Діаметр:
8мм
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 23Вт; TO220FP

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 1кВ; 15А; 690Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 1кВ; 15А; 690Вт; TO247-3

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 56А; 36Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 56А; 36Вт; TO220FP

542,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 48А; 660Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 48А; 660Вт; TO247-3

631,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Корпус:
TO220AB