Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 30В; 209А; 89Вт; DFN5x6-8; ESD

Немає в наявності
Код товару: GT011N03D5E
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT011N03D5E
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 84нКл
Корпус: DFN5x6-8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 89Вт
Струм стока: 209А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0; 75В

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 150нс; SMA; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 150нс; SMA; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 30А

3,80 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 37,4Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 37,4Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 187кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 187кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 196кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 196кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; NQ; 200В

1,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
4,6нКл