Транзистор: N-MOSFET; SiC; N; 650В; 60А; 249Вт; TO247-4

Немає в наявності
Код товару: IXSH60N65L2KHV
259,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 450
Крок додавання: 450
Код товару: IXSH60N65L2KHV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 94,7нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 40Ом
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 249Вт
Струм стока: 60А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 20,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 20,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; гніздовий; промислова; прямий; проводи
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; гніздовий; промислова; прямий; проводи

829,32 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
M12 Cable Assembly A-cod st/- f/- 0,5m
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
0,5м
Недоступний
Резистор: thin film; 0805; 52,3Ом; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 0805; 52,3Ом; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
52,3Ом
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 22мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 22мкФ; 100ВDC; ±20%

28,51 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид упаковки:
Ammo Pack
Висота:
11,5мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V

117,84 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Трансформатор: литий; 12В; 4,17А; LT; 78,7x66,04x55,37мм
Трансформатор: литий; 12В; 4,17А; LT; 78,7x66,04x55,37мм

641,79 грн

Вторинна напруга 1:
12В
Зовнішні розміри:
78,7x66,04x55,37мм
Серія виробника:
LT
Струм вторинної обмотки 1:
4,17А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT