Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; TO247; SMB

Немає в наявності
Код товару: MSC060SMB120B
375,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 60
Крок додавання: 30
Код товару: MSC060SMB120B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Сімейство: SMB
Стандартне пакування виробника: 30шт.
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V

182,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V

163,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм

56,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
внутрішній датчик температури; зміцнення входів ADC
Інтерфейс:
debugWIRE; I2C; SPI
Кількість в наборі/упаковці:
6000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C

117,21 грн

Виводи:
радіальні
Довжина відводів:
5,9мм
Допуск:
±5%
Ємність:
0,12нФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%

9,88 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,25м
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,25м

239,48 грн

Довжина проводу:
0,25м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
чорний
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT