Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт

Немає в наявності
Код товару: LGE3M40065B
753,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M40065B
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 110,8нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 55мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 348Вт
Струм стока: 58А
Струм стоку в імпульсі: 180А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 25x14AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu
Провід; Xtra Guard® Flex; 25x14AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu

615517,10 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I/II A/B FT1; UL 2587
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 1206

53,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Marker: cable-heat shrinkable; 38mm; for marking wire and cable
Marker: cable-heat shrinkable; 38mm; for marking wire and cable

18523,84 грн

Відповідність стандарту:
EN 45545-2
Діаметр після усадження:
6,4мм
Застосування складських аксесуарів:
для маркування проводів і кабелів
Кількість етикеток:
500шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 100Ом; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C

0,91 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
100Ом
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V

171,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
7,4мм
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷0,4м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷0,4м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON

5293,34 грн

Властивості датчиків:
регулювання чутливості
Дальність:
0...0,4м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT