Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 11А; 179Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: GC11N65K
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GC11N65K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 11А
Технологія: SJ-MOSFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 3; гніздовий; промислова; для проводу
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 3; гніздовий; промислова; для проводу

903,45 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Зовнішній діаметр проводу:
4...4,5мм
Кількість пін:
3
Недоступний
Провід: управління; 7G0,5мм2; PUR; чорний; тросик; Cu; 8,5мм
Провід: управління; 7G0,5мм2; PUR; чорний; тросик; Cu; 8,5мм

245,82 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Недоступний
Резистор: thin film; 12,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 12,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 5,49МОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,49МОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
5,49МОм
Конденсатор: поліпропиленовий; 37мм; 15мкФ; 600ВDC; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; 37мм; 15мкФ; 600ВDC; Вив: радіальні

58,92 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
37мм
Допуск:
±10%
Ємність:
15мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; RK73G; 50В
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; RK73G; 50В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
4,6нКл