Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 370мА; Idm: 2,3А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMZ550UNEYL
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: PMZ550UNEYL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,1нКл
Корпус: DFN1006-3; SOT883
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,17Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,37А
Струм стоку в імпульсі: 2,3А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -70А; 150Вт; DFN5x6-8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -70А; 150Вт; DFN5x6-8

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
DFN5x6-8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; THT; 35Вт; ±1%; 10,16x15x4,6мм
Резистор: thick film; 12Ом; THT; 35Вт; ±1%; 10,16x15x4,6мм

387,73 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Опір:
12Ом
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 100нФ; 1,6кВDC; 650ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 100нФ; 1,6кВDC; 650ВAC

91,23 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Довжина відводів:
6мм
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; (SPST-NO + SPST-NC) x2; 5A/250ВAC
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; (SPST-NO + SPST-NC) x2; 5A/250ВAC

1251,90 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,2пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 14,3Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 14,3Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669