Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 65А; Idm: 150А

Немає в наявності
Код товару: SIRA12DDP-T1-GE3
10,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRA12DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,2нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 38Вт
Струм стока: 65А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 63ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 63ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%

39,28 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Контейнер; AA,R6; К-сть бат: 4; паяльні пластинки; чорний
Контейнер; AA,R6; К-сть бат: 4; паяльні пластинки; чорний

51,95 грн

Виводи:
паяльні пластинки
Кількість батарей:
4
Колір:
чорний
Розмір осередку:
AA; R6
Недоступний
Резистор: thin film; 301Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 301Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; IP67

2833,89 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...4мм
Додаткові функції:
IO-Link (COM2)
Загальна довжина:
70мм
Недоступний
Резистор: thick film; 402Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 402Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
402Ом
Перехідник різьблення для обтисків; PG11; PG21; латунь; нікель
Перехідник різьблення для обтисків; PG11; PG21; латунь; нікель

274,33 грн

Відповідність стандарту:
II 2G Ex eb IIC Gb / II 1D Ex ta IIIC Da
Внутрішня різьба:
PG11
Зовнішня різьба:
PG21
Клас герметичності:
IP68
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
4,6нКл