1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 509А; Idm: 800А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 509А; Idm: 800А
Немає в наявності
Код товару: SIJH400E-T1-GE3
202,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SIJH400E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 99нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 520мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 385Вт
Струм стока: 509А
Струм стоку в імпульсі: 800А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА

515,71 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
9...18В DC
Зовнішні розміри:
21,85x11,1x9,2мм
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 450ВDC; Ø16x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 450ВDC; Ø16x25мм; ±20%

74,13 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
25мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
16мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 1,5кВ; X7R; ±10%; SMD; 1808
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 1,5кВ; X7R; ±10%; SMD; 1808

12,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Роз’єм: клапанний; вилка; промислова; формат А; 18мм; гніздовий
Роз’єм: клапанний; вилка; промислова; формат А; 18мм; гніздовий

788,77 грн

Alias:
MSVS-EB4W-KS11
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Відповідність стандарту:
DIN 43650
Недоступний
Резистор: thin film; 3Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TFR
Резистор: thin film; 3Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TFR

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 113кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 113кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

1,75 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
4,6нКл