Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 46,5А; Idm: 150А

Немає в наявності
Код товару: SISS588DN-T1-BE3
34,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISS588DN-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14,2нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56,8Вт
Струм стока: 46,5А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 52; THT; angled; 2x26
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 52; THT; angled; 2x26

90,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1%; SMD; 0402

1,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 453кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 453кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 2,55кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,55кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
4,6нКл