Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 650В; 54А; Idm: 70А; 625Вт

Немає в наявності
Код товару: IXFH54N65X3
496,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXFH54N65X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 49нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 59мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм стока: 54А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: HiPerFET™; X3-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 140нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V

104,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм

43,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
внутрішній датчик температури; зміцнення входів ADC; режим picoPower
Інтерфейс:
debugWIRE; I2C; SPI
Кількість в наборі/упаковці:
6000шт.
Резистор: thick film; 150Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,55мм
Резистор: thick film; 150Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,55мм

0,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6x0,55мм
Опір:
150Ом
Недоступний
Конденсатор: полімерний; 120мкФ; 6,3ВDC; SMD; OS-CON SVPA; ±20%
Конденсатор: полімерний; 120мкФ; 6,3ВDC; SMD; OS-CON SVPA; ±20%

29,21 грн

Висота:
6мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
120мкФ
Конденсатор: електролітичний; SMD; 22мкФ; 25ВDC; Ø5x5,3мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 22мкФ; 25ВDC; Ø5x5,3мм; ±20%

6,53 грн

Висота:
5,3мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
IC: мікроконтролер MSP430; DIP14; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер MSP430; DIP14; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC

115,31 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI
Кількість каналів PWM:
2
Конденсатор: керамічний; 27нФ; 25ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 27нФ; 25ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603

0,87 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
27нФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT