1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -10А; Idm: -30А; 1Вт; uDFN6

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -10А; Idm: -30А; 1Вт; uDFN6
Немає в наявності
Код товару: SSM6J501NU,LF
33,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SSM6J501NU,LF
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 29,9нКл
Корпус: uDFN6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 43мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: -10А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Запобіжник: плавка; 10А; 250ВAC; швидкодіючий
Запобіжник: плавка; 10А; 250ВAC; швидкодіючий

21,54 грн

Номінальна напруга:
250В AC
Номінальний струм:
10А
Тип запобіжника:
плавка
Характеристика запобіжника:
швидкодіючий
Недоступний
Резистор: thick film; 732кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 732кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; 75Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; 75Вт; DPAK

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,7А; Idm: -44А; 60Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,7А; Idm: -44А; 60Вт

105,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7А; Idm: -25А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -4,9А; 0,7Вт; U-DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -4,9А; 0,7Вт; U-DFN2020-6

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
U-DFN2020-6
Монтаж:
SMD