Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -25,7А; Idm: -70А

Немає в наявності
Код товару: SI4101DY-T1-GE3
22,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4101DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 203нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6Вт
Струм стока: -25,7А
Струм стоку в імпульсі: -70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,88 грн

Alias:
KGF15AR72A103KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Ланцюгова напрямна; 3400; Рад.заг: 100мм; L: 1005мм; E2/000
Ланцюгова напрямна; 3400; Рад.заг: 100мм; L: 1005мм; E2/000

6147,37 грн

Внутрішня висота:
45мм
Внутрішня ширина:
75мм
Довжина:
1005мм
Зовнішня висота:
64мм
Недоступний
Резистор: thin film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C
Резистор: thin film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,5пФ
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AC; -55÷155°C

0,90 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
3,1x2,6мм
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
ИК передавач; прозора; 145мВт; 24°; 2,9÷3,25ВDC; λp макс: 860нм
ИК передавач; прозора; 145мВт; 24°; 2,9÷3,25ВDC; λp макс: 860нм

22,36 грн

Голівка:
опукла
Довжина хвилі у точці макс. чутливості:
860нм
Інтенсивність випромінювання:
140...450мВт/ср
Кут світіння:
24°
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,2Вт; SOT23

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -20А; Idm: -80А; 27,8Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -20А; Idm: -80А; 27,8Вт; TO252

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,8Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,8Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -45,8А; 3Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -45,8А; 3Вт; SOP8

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOP8