Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 144А; 8,3Вт

Немає в наявності
Код товару: SIRS5700DP-T1-RE3
119,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRS5700DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 73нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 5,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8,3Вт
Струм стока: 144А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 24В; на панель; Han-Eco® B
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 24В; на панель; Han-Eco® B

2439,18 грн

Engineering PN:
Han-Eco 24B-HSM1-with SL-M40-with cover
Застосування - серія/виробник:
Han-Eco® B
Кількість отворів на сальнику:
1
Клас герметичності:
IP66
Провід; OZ-600; OZ; 4x2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu; тросик
Провід; OZ-600; OZ; 4x2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu; тросик

279,40 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
OZ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252

19,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Резистор: thick film; 51Ом; 2512; 2Вт; 6,3x3,2x0,55мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51Ом; 2512; 2Вт; 6,3x3,2x0,55мм; -55÷155°C

12,80 грн

Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
51Ом
Потужність:
2Вт
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,7пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 11,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 11,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 390нФ; 400В; 19x14x8мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 390нФ; 400В; 19x14x8мм; THT

2,65 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±10%
Ємність:
0,39мкФ
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
4,6нКл