Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; польовий; 30В

Немає в наявності
Код товару: SI4816BDY-T1-GE3
32,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4816BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: Half-Bridge Power MOSFET
Заряд затвора: 10/18нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 18,5/11,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,64/0,8Вт
Струм стока: 4,6/6,5А
Технологія: LITTLE FOOT®
Тип транзистора: N-MOSFET x2 + Schottky
IC: PMIC; синхронний; Uвх: 1,8÷5,5В; Uвих: 1,6÷3,3В; buck; ST1
IC: PMIC; синхронний; Uвх: 1,8÷5,5В; Uвих: 1,6÷3,3В; buck; ST1

44,98 грн

Вид об'єднаної схеми:
синхронний
Вихідна напруга:
1,6...3,3В
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
1,8...5,5В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 2,2кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2÷5,5ВDC; SOT23-5; -3÷3мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2÷5,5ВDC; SOT23-5; -3÷3мВ

26,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-3...3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Резистор: thick film; 2,74кОм; 0603; 300мВт,400мВт; ±0,5%
Резистор: thick film; 2,74кОм; 0603; 300мВт,400мВт; ±0,5%

1,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 1А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 1А

78,56 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
1А
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,9нКл
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8/9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8

19,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А

1533,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
SMPD
Монтаж:
SMD