Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В

Немає в наявності
Код товару: SIZF918DT-T1-GE3
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZF918DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22/56нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,8/2,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 26,6/50Вт
Струм стока: 40/60А
Струм стоку в імпульсі: 130...100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2 + Schottky
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Роз’єм: Jack 3,5мм; гніздо; гніздовий; аудіо відео; горизонтальне
Роз’єм: Jack 3,5мм; гніздо; гніздовий; аудіо відео; горизонтальне

64,62 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,9пФ
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 3; 6кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 3; 6кА

845,79 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість полюсів:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD

2,31 грн

Alias:
KGM31BCG2A152KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 2÷10ВDC; 50А; 100÷280ВAC; PCV; IP00
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 2÷10ВDC; 50А; 100÷280ВAC; PCV; IP00

8843,78 грн

Зовнішні розміри:
45,7x58,4x23мм
Клас герметичності:
IP00
Модель реле:
1-фазний
Монтаж:
на панель
Недоступний
Резистор: thin film; 274кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 274кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,9нКл
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8/9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8

19,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А

1533,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
SMPD
Монтаж:
SMD