1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 9А; 2,6Вт; SOP8

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 9А; 2,6Вт; SOP8
Немає в наявності
Код товару: G130N06S2
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G130N06S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 67нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,6Вт
Струм стока: 9А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 6,3ВDC; X5R; ±10%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 6,3ВDC; X5R; ±10%; SMD; 01005

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Струмовий шунт; 1кА; Клас: 0,5; 60мВ; 864-92MG
Струмовий шунт; 1кА; Клас: 0,5; 60мВ; 864-92MG

20148,28 грн

Клас точності:
0,5
Номінальний струм:
1кА
Падіння напруги:
60мВ
Серія виробника:
864-92MG
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

1,65 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,9нКл
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8/9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8

19,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А

1533,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
SMPD
Монтаж:
SMD