1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А
Немає в наявності
Код товару: SP8M10FRATB
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SP8M10FRATB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,4/8,5нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 37/90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 7/-4,5А
Струм стоку в імпульсі: 18...28А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RC; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Провід: стрічковий; 1,27мм; тросик; Cu; неекранований; ПВХ; сірий
Провід: стрічковий; 1,27мм; тросик; Cu; неекранований; ПВХ; сірий

2424,61 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA AWM I A/B FT1; UL 2651; VW-1
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 1250мА
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 1250мА

3127,85 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
1,25А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; падіння напруги BOP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
270пФ
Недоступний
Діод: TVS збірка; 40В; 0,3кВт; спільний катод; ESD; SO8; Ch: 4
Діод: TVS збірка; 40В; 0,3кВт; спільний катод; ESD; SO8; Ch: 4

29,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
25пФ
Зворотна напруга макс.:
36В
Кількість каналів:
4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,9нКл
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8/9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8

19,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А

1533,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
SMPD
Монтаж:
SMD