Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; ESD

Немає в наявності
Код товару: QS8J4TR
14,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: QS8J4TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,4нКл
Корпус: TSMT8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 84мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -4А
Струм стоку в імпульсі: -16А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 2,2мкФ; 35ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 2,2мкФ; 35ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TAJ

10,07 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Корпус:
B
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 800мА
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 800мА

739,36 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,8А
Відповідність стандарту:
cURus; UL
Недоступний
Резистор: thick film; 1,62кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,62кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 7,78÷8,6В; 30,9А; односпрямована; SOD123F; ролик
Діод: TVS; 0,4кВт; 7,78÷8,6В; 30,9А; односпрямована; SOD123F; ролик

18,37 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
7В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вентилятор: AC; Ø585x406мм; центробіжній; 400ВAC; 7525м3/г; IP55
Вентилятор: AC; Ø585x406мм; центробіжній; 400ВAC; 7525м3/г; IP55

0,00 грн

Виводи:
конектори
Вид вентилятора:
центробіжній
Вид двигуна:
3-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201

7,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; LQFP32; 1,7÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; LQFP32; 1,7÷3,6ВDC; -40÷85°C

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
12bit ADC; Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; RTC; watchdog
Інтерфейс:
HDMI CEC; I2C x2; LPUART; SPI x2; USART x4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,9нКл
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8/9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8

19,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А
Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А

1533,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
SMPD
Монтаж:
SMD